硅芯片封接用PbO、ZnO、B_2O_3三元系易熔玻璃特性与封接工艺的关系
Relationship Between Properties of PbO,ZnO,B_2O_3 Ternary System LowTemper ature Glass Used for Bonding Silicon Chipsand Bonding Technology作者机构：河北工业大学微电子所天津300130 河北工业大学金属所天津300130 河北工业大学高分子材料所天津300130
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)
年 卷 期：2002年第23卷第5期
页 面：555-559页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
主 题：低温玻璃 芯片封接 特性分析 DSC谱 红外吸收谱 X射线衍射谱
摘 要：对淬火态及重熔再凝固态两种粉末进行 DSC、红外吸收光谱及 X射线衍射谱分析 ,实验表明 ,淬火态的软化点低 ,在 5 0 0～ 5 10℃下完全熔化 ,有利于芯片的低温封接 .重熔再凝固态的熔点高 ( 63 0℃ )、热稳定性好 ,有利于器件的使用 .进一步研究表明 ,淬火态为无序态 ,再凝固态为结晶态 ,其中存在 Pb2 Zn B2 O6 的晶体相 .无论是在无序态中还是在结晶态中 ,[BO3]3- 离子团都不会破裂 ,均出现其分子振动的特征简正模 .
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