Rashba自旋轨道耦合对NM/FS/I/FS/NM双自旋过滤隧道结中自旋相关输运的影响

作     者：石德政 王瑛 代珍兵 谢征微 李玲 SHI Dezhen;WANG Ying;DAI Zhenbing;XIE Zhengwei;LI Ling

作者机构：四川师范大学物理与电子工程学院四川成都610066 四川农业大学商学院四川成都611830 

出 版 物：《四川师范大学学报（自然科学版）》 (Journal of Sichuan Normal University（Natural Science）)

年 卷 期：2014年第37卷第1期

页      面：103-107页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 07[理学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

基　　金：四川省教育厅自然科学基金重点项目(13ZA0149)资助项目 

主　　题：双自旋过滤磁性隧道结 Rashba自旋轨道耦合 隧穿磁电阻 隧穿电导 

摘      要：基于转移矩阵方法和量子相干输运理论,研究了含两铁磁半导体层的双自旋过滤磁性隧道结(NM/FS/I/FS/NM,NM表示非磁金属,FS表示铁磁半导体,I表示绝缘层)中的Rashba自旋轨道耦合与自旋相关隧穿现象和隧穿磁电阻(TMR)效应之间的关系.研究结果表明:当左右两FS层的Rashba自旋轨道耦合强度相等时可得到最大的正TMR,而不等时可得到大的负TMR;在绝缘层厚度达到一定值后,双自旋过滤结可以获得稳定TMR,其正负和两FS层Rashba自旋轨道耦合强度的相对大小有关.