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铅基卤素钙钛矿阻变式存储器研究进展

Review of lead halide perovskite based resistive random access memories

作     者:曾凡菊 谭永前 胡伟 唐孝生 尹海峰 ZENG Fanju;TAN Yongqian;HU Wei;TANG Xiaosheng;YIN Haifeng

作者机构:凯里学院大数据工程学院贵州凯里556011 重庆大学光电工程学院重庆400044 重庆邮电大学光电学院重庆400065 

出 版 物:《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)

年 卷 期:2022年第41卷第1期

页      面:19-29,39页

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 07[理学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 0702[理学-物理学] 

基  金:国家自然科学基金面上项目(61975023) 凯里学院博士专项课题(BS202004) 凯里学院学术新苗培养及创新探索专项课题(黔科合平台人才01-4) 

主  题:铅基卤素钙钛矿 阻变式存储器 综述 阻变性能 阻变机理 

摘      要:随着数字通信在大数据以及物联网等领域的应用,推动了下一代存储设备的发展。阻变式存储器因其功耗低、尺寸可调、操作速度快等优点被认为是最有前景的信息存储器件之一。近年来,兼具成本低、带隙可调、载流子扩散长度长、离子迁移速率快、载流子迁移率高等优点的铅基卤素钙钛矿,在阻变式存储器领域引起了广泛关注。主要对铅基卤素钙钛矿阻变式存储器最新研究进展进行了概述,就铅基卤素钙钛矿阻变式存储器结构、阻变性能、阻变机理等方面进行了综述。最后,对铅基卤素钙钛矿阻变式存储器当前面临的挑战进行了讨论,并对其未来的发展前景进行了展望。

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