表面电荷转移掺杂石墨烯的研究进展
Progress in Surface Charge Transfer Doping of Graphene作者机构:中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心沈阳110016 中国科学技术大学材料科学与工程学院沈阳110016 清华大学清华-伯克利深圳研究院深圳盖姆石墨烯研究中心广东深圳518055
出 版 物:《物理化学学报》 (Acta Physico-Chimica Sinica)
年 卷 期:2022年第38卷第1期
页 面:113-126页
核心收录:
学科分类:081702[工学-化学工艺] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术]
基 金:国家重点研发计划项目(2016YFA0200101) 国家自然科学基金(51325205,51290273,51521091) 中国科学院项目(ZDBS-LY-JSC027,XDB30000000,KGZD-EW-303-1,KGZD-EW-303-3,KGZD-EW-T06) 辽宁省“兴辽英才计划”(XLYC1808013)资助
摘 要:表面电荷转移掺杂是调制石墨烯电学特性的重要手段。发展高效、稳定的表面电荷转移掺杂剂对于提高石墨烯的电学和光电性能、从而推动其在电子和光电领域中的应用具有重要意义。本文围绕高效与稳定两个方面综述了近年来石墨烯表面电荷转移掺杂剂的研究现状以及掺杂石墨烯在光电器件应用方面的进展。根据掺杂剂的类型,着重介绍了最新发展的高效p型和n型掺杂剂,并概述了稳定掺杂方面的重要研究工作。此外,专门介绍了基于掺杂石墨烯透明电极的高性能光电器件。最后,根据表面电荷转移掺杂研究面临的主要挑战,对其未来的发展方向进行了展望。