非易失性静态随机存储器研究进展

作     者：冯平 尹家宇 宋长坤 余仕湖 李伯阳 陈铖颖 左石凯 Feng Ping;Yin Jiayu;Song Changkun;Yu Shihu;Li Boyang;Chen Chengying;Zuo Shikai

作者机构：厦门理工学院光电与通信工程学院福建厦门361024 厦门新声科技有限公司福建厦门361115 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2022年第47卷第1期

页      面：1-8,18页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61704143) 福建省自然科学基金面上项目(2020J01295) 厦门市2020年青年创新基金资助项目(3502Z20206074) 

主　　题：非易失性 静态随机存储器(SRAM) 恢复率 漏电流 功耗 

摘      要：在非易失性存储器领域,非易失性静态随机存储器(NVSRAM)可以克服现有非易失性存储器的缺点与限制,并完全替代静态随机存储器(SRAM)。首先,对几种新型非易失性存储器进行了简单阐述;其次介绍了NVSRAM的基本工作原理和特点,针对NVSRAM在解决传统SRAM掉电数据储存问题、加快读取速度以及减少功耗等方面的优势进行阐述。对近年来基于阻变存储器的NVSRAM的研究背景和国内外研究现状进行了调研,着重比较和分析了已有结构的优缺点,重点探讨了提高恢复率、减少漏电流和降低功耗的关键优化技术。最后,展望了NVSRAM未来的应用和研究发展方向。