硅/氧浓度初始分布对硅晶圆内V-O_(2)对演变影响的仿真
Simulation of Effect of the Initial Distributions of Silicon and Oxygen Concentrations on the V-O_(2) Pair's Evolution in Silicon Monocrystalline Wafer作者机构：山东大学材料科学与工程学院山东济南250061 Outpie Partners B.V.荷兰埃因霍温高科技园区5656AE
出 版 物：《徐州工程学院学报（自然科学版）》 (Journal of Xuzhou Institute of Technology(Natural Sciences Edition))
年 卷 期：2021年第36卷第4期
页 面：35-42页
学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 0702[理学-物理学]
基 金：国家自然科学基金项目(51375269) 山东大学晶体材料国家重点实验室开放课题(KF1303)
主 题：仿真 硅晶圆 V-O_(2)对 自间隙硅原子 间隙氧原子 初始的浓度分布
摘 要：为了揭示自间隙硅原子相对浓度和间隙氧原子相对浓度的初始分布状态对低温退火期间硅晶圆内V-O_(2)对介观演变的影响,应用原有相场仿真模型及其改进模型,仿真了两个不同的点缺陷相对浓度初始分布状态下退火的硅晶圆内V-O_(2)对演变过程.结果表明:在文章的仿真条件下,均匀分布的硅原子相对浓度未影响V-O_(2)对演变,这与不考虑硅原子存在的情况相同;与均匀分布状态相比,初始的氧原子相对浓度随机均匀分布状态使得V-O_(2)对生成速度减慢.
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