海马体启发的与光照时长相关的记忆器件用于神经编码

作     者：李彩虹 杜文 刘和桩 杨茂 徐浩 巫江 王志明 Caihong Li;Wen Du;Hezhuang Liu;Mao Yang;Hao Xu;Jiang Wu;Zhiming Wang

作者机构：Institute of Fundamental and Frontier SciencesUniversity of Electronic Science and Technology of ChinaChengdu610054China School of PhysicsUniversity of Electronic Science and Technology of ChinaChengdu610054China State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated DevicesUniversity of Electronic Science and Technology of ChinaChengdu610054China 

出 版 物：《Science China Materials》 (中国科学（材料科学（英文版）)

年 卷 期：2022年第65卷第4期

页      面：1087-1093页

核心收录：

学科分类：0831[工学-生物医学工程（可授工学、理学、医学学位）] 080903[工学-微电子学与固体电子学] 1002[医学-临床医学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：supported by the Innovation Group Project of Sichuan Province(20CXTD0090) the Fundamental Research Funds for the Central Universities(ZYGX2019Z018) the University of Electronic Science and Technology of China(UESTC)Shared Research Facilities of Electromagnetic Wave and Matter Interaction(Y0301901290100201) the National Natural Science Foundation of China(62004025) the International Postdoctoral Exchange Fellowship Program(Talent-Introduction Program,244125) the UESTC 100-Talent Project Fund China Postdoctoral Science Foundation(244125) 

主　　题：illumination time memory trace pressure-induced memory behavior memory encoding memory retrieval 

摘      要：本文在海马体的启发下设计了一种与光照时长相关的记忆器件.与常规的持续性正/负电导不同,基于类网状二硫化钼沟道层的记忆器件表现出随光照时长逐渐降低的正光电导.由于光照下缺陷诱导的捕获陷阱会在阳极附近形成耗尽层,导致局部电场畸变,从而使载流子分离效率净降低,该器件表现出随光照时长先增加后降低的光响应,而且再次光激发的响应电流低于前一次光激发的电流,即再次光激发读出电流与前一次光照时长相关.因此在405 nm激光光照下该器件可用于光照时长编码和模拟压力诱导下的完整记忆行为包括记忆编码、存储和再检索.此外,通过再引入450 nm激光可以实现光照时长编码的加密与解密,同时也可以进一步模拟压力引发的相应激素对记忆的影响.