SIP外壳内受X射线激发的电磁干扰环境

作     者：陈竞晖 曾超 CHEN Jinghui;ZENG Chao

作者机构：中国工程物理研究院电子工程研究所四川绵阳621900 

出 版 物：《原子能科学技术》 (Atomic Energy Science and Technology)

年 卷 期：2021年第55卷第12期

页      面：2282-2289页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 08[工学] 070201[理学-理论物理] 0702[理学-物理学] 

主　　题：系统级封装 电磁干扰 X射线 

摘      要：本文估算了系统级封装(SIP)外壳内,受脉冲X射线辐照产生的电磁干扰(EMI)环境。首先通过蒙特卡罗数值方法计算了可伐合金及印制电路板(PCB)表面受X射线辐照激发电子的产额和能谱,并基于该计算结果开展了电子自洽运动的数值模拟。利用时域有限差分法(FDTD)和粒子模拟技术(PIC)对电子产生电磁场的过程进行了仿真。计算结果表明,电子的运动使得电子发射面附近的EMI环境最强。此外,从频谱可看出,电磁干扰主要集中在低频部分,且频率取决于X射线的时间参数。通过减小SIP外壳的受辐照面积及高度可降低外壳内的EMI环境强度。