咨询与建议

看过本文的还看了

相关文献

该作者的其他文献

文献详情 >基于第一性原理计算的纳米氧化钨研究进展 收藏

基于第一性原理计算的纳米氧化钨研究进展

First-principles Study on Nanoscale Tungsten Oxide:a Review

作     者:赵林艳 刘阳思 席晓丽 马立文 聂祚仁 ZHAO Linyan;LIU Yangsi;XI Xiaoli;MA Liwen;NIE Zuoren

作者机构:北京工业大学材料与制造学部新型功能材料教育部重点实验室北京100124 北京工业大学工业大数据应用技术国家工程实验室北京100124 北京工业大学北京古月新材料研究院北京100124 北京工业大学首都资源循环材料技术省部共建协同创新中心北京100124 

出 版 物:《无机材料学报》 (Journal of Inorganic Materials)

年 卷 期:2021年第36卷第11期

页      面:1125-1136页

核心收录:

学科分类:08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 

基  金:国家重点研发项目(2018YFC1901700) 国家自然科学基金(51621003,51702008) 北京自然科学基金(2202010) 

主  题:纳米氧化钨 第一性原理 模拟计算 电子结构 综述 

摘      要:纳米氧化钨作为一种具有独特物理化学性质的半导体功能材料,已被广泛应用于环境、能源、生命科学、信息技术等领域。本文基于第一性原理计算在纳米氧化钨中的应用进展,概述了量子力学基础上的第一性原理及密度泛函理论的发展历程及基本理论,介绍了该领域常用的MS(Materials studio)、VASP(Vienna ab initio simulation package)等模拟计算软件,并分类阐述了第一性原理计算对氧化钨的微观电子结构、物质相互作用、分子热动力学等方面的研究成果。最后提出了第一性原理计算在纳米氧化钨这类半导体材料研究中存在的问题及未来发展趋势。

读者评论 与其他读者分享你的观点

用户名:未登录
我的评分