压电喷墨腔室键合工艺的研究

作     者：王凤伟 孟令凤 宛瑛泽 邹赫麟 Wang Fengwei;Meng Lingfeng;Wan Yingze;Zou Helin

作者机构：大连理工大学机械工程学院辽宁大连116024 

出 版 物：《机电工程技术》 (Mechanical & Electrical Engineering Technology)

年 卷 期：2021年第50卷第10期

页      面：15-19页

学科分类：08[工学] 081201[工学-计算机系统结构] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）] 

主　　题：喷墨腔室 曝光量 键合强度 氧等离子体 

摘      要：描述了一种结合光刻和热键合工艺制作压电喷墨腔室的工艺方法,并对喷墨腔室的键合质量进行研究。首先在Si基底上制作完全交联的SU-8开放腔室,然后在PDMS基底上采用邻近式紫外曝光得到带有锥形喷孔的喷孔板,最后将喷孔板与开放腔室热键合得到一体化的喷墨腔室。通过控制曝光量来得到不同交联程度的喷孔板,测量不同交联程度下喷墨腔室的键合强度;通过优化氧等离子体处理工艺参数,提高了喷墨腔室的键合强度;此外,优化了热键合温度和键合时间,获得最小的腔室变形量。