Fe, Ag掺杂单层MoSe_(2)光电性质的第一性原理计算

作     者：徐中辉 刘川川 陈圳 袁秋明 XU Zhong-Hui;LIU Chuan-Chuan;CHEN Zhen;YUAN Qiu-Ming

作者机构：江西理工大学信息工程学院赣州341000 

出 版 物：《原子与分子物理学报》 (Journal of Atomic and Molecular Physics)

年 卷 期：2022年第39卷第3期

页      面：161-165页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(11864014) 国家重点研发计划重点专项(2020YFB1713700) 江西理工大学“清江青年英才支持计划”优秀人才计划项目(3203304666) 赣州市科技创新人才计划项目(赣市科发60-43) 

主　　题：MoSe_(2) 掺杂 电子结构 光电效应 第一性原理 

摘      要：本文基于第一性原理分别计算了Fe, Ag掺杂对单层MoSe_(2)电子结构和光电效应的影响,结果表明:与本征单层MoSe_(2)相比,Fe, Ag掺杂体系的能带更加密集,且费米能级附近均出现了较多杂质能带;通过对分波态密度进行分析,发现其分别是由Fe-3d、Se-4p轨道和Se-4p、Mo-4d轨道所贡献.在近乎整个可见光范围内,Fe, Ag掺杂有效加强了单层MoSe_(2)的光响应能力,其中Ag掺杂效果最好;这可以归结于掺杂显著改变了单层MoSe_(2)费米能级附近的能带结构.即掺杂进一步减小了体系的带隙,更有利于电子跃迁,进而产生较大的光响应.研究结果可为单层MoSe_(2)在光电器件的实际应用提供一定的理论参考.