脑缺血再灌注损伤神经细胞非谷氨酸依赖性钙离子通道研究进展
作者机构：天津中医药大学第一附属医院天津300193
出 版 物：《中国老年学杂志》 (Chinese Journal of Gerontology)
年 卷 期：2011年第31卷第7期
页 面：1285-1286页
核心收录：
学科分类：1002[医学-临床医学] 100204[医学-神经病学] 10[医学]
主 题：脑缺血再灌注损伤 非谷氨酸依赖钙离子通道
摘 要：脑缺血再灌注（I/R）损伤具有复杂的发生机制。大量研究表明,脑I/R损伤主要与钙超载、兴奋性氨基酸、氧化应激反应、炎症反应、脑水肿和细胞凋亡等有关。其中,Ca2＋超载及其触发的一系列有害代谢反应是导致I/R损伤神经细胞损伤和死亡的“最后共同通路。
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