ZnGeP_2晶体点缺陷的研究进展

作     者：朱崇强 杨春晖 王猛 夏士兴 马天慧 吕维强 ZHU Chong-Qiang;YANG Chun-Hui;WANG Meng;XIA Shi-Xing;MA Tian-Hui;L(U) Wei-Qiang

作者机构：哈尔滨工业大学应用化学系哈尔滨150001 

出 版 物：《无机材料学报》 (Journal of Inorganic Materials)

年 卷 期：2008年第23卷第6期

页      面：1089-1095页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(50572018) 

主　　题：ZnGeP2晶体 电子顺磁共振 受主缺陷 施主缺陷 密度泛函理论 

摘      要：ZnGeP_2晶体是具有重要应用背景的红外非线性光学材料.晶体中的点缺陷严重限制了ZnGeP_2晶体的应用发展.本工作介绍了ZnGeP_2晶体点缺陷的最新研究进展情况.首先,利用电子顺磁共振技术研究了ZnGeP_2晶体的点缺陷.主要存在缺陷是受主缺陷V_(Zn)^-及施主缺陷V_P^0和Ge_(Zn)^+,其相应的缺陷能级分别为E(V_(Zn)^-)=Ec-(1.02±0.03)eV,E(V_P^0)=Ev+(1.61±0.06)eV和E(Ge_(Zn)^+)=Ev+(1.70±0.03)eV.对晶体作了电子照射及高温退火等处理后,又分别发现了两种缺陷V_(Ge)^(3-)和V_P^0其次,利用全势能线性muffin-tin轨道组合法模拟研究了ZnGeP_2晶体的点缺陷.主要存在缺陷及缺陷能级的计算结果与实验结果基本一致,但由于理论模拟与实际情况还存在差距,有些计算结果与实验结果相矛盾.因此,将实验与理论有机结合研究晶体的点缺陷是今后研究的重点.