低应力掺钪氮化铝薄膜制备技术研究
Study on Fabrication of Low Stress Scandium-doped Aluminum Nitride作者机构：南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)
年 卷 期：2021年第41卷第4期
页 面：319-322页
学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
摘 要：分析了双层膜薄膜失效模型,提出了制备低应力掺钪氮化铝薄膜在薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器工艺中的必要性。利用反应溅射法制备掺钪氮化铝薄膜,并使用应力测试仪表征薄膜的力学性能,研究薄膜厚度、工艺时溅射功率、偏置功率以及工艺气压等参数对薄膜应力的影响,通过优化工艺参数制备了接近零应力的掺钪氮化铝薄膜。
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