沟道长度对IGZO薄膜晶体管性能的影响

作     者：刘璐 高晓红 孟冰 付钰 孙玉轩 王森 刘羽飞 胡顶旺 LIU Lu;GAO Xiao-hong;MENG Bing;FU Yu;SUN Yu-xuan;WANG Sen;LIU Yu-fei;HU Ding-wang

作者机构：吉林建筑大学吉林长春130119 

出 版 物：《电脑知识与技术》 (Computer Knowledge and Technology)

年 卷 期：2021年第17卷第26期

页      面：138-140页

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

基　　金：大学生创新创业训练计划项目(202010191082) 吉林省教育厅项目(JJKH20200276KJ) 

主　　题：IGZO 薄膜晶体管 磁控溅射 沟道长度 

摘      要：在室温条件下采用射频磁控溅射的方法在热氧化SiO_(2)衬底上生长IGZO薄膜作为有源层,并将其制备为薄膜晶体管器件.研究不同的沟道长度对IGZO薄膜晶体管电学性能的影响.使用场发射扫描电子显微镜(SEM)表征IGZO薄膜的厚度,使用原子力显微镜(AFM)表征薄膜的表面形貌.实验结果表明,沟道长度对IGZO薄膜晶体管有着重要影响.当沟道长度为10μm时,IGZO薄膜晶体管的开关电流比达到1.07×10^(8),载流子迁移率为3.81cm^(2)/V,阈值电压为27V,亚阈值摆幅为2V/dec.