溅射功率和溅射时间对Mg_(2)Si纳米晶薄膜结构和电阻率的影响

作     者：廖杨芳 谢泉 LIAO Yangfang;XIE Quan

作者机构：贵州师范大学物理与电子科学学院贵阳550001 贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2021年第50卷第9期

页      面：1675-1680页

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：贵州省科技计划(黔科合基础1225号) 贵州师范大学资助博士科研项目(GZNUD15号) 

主　　题：Mg_(2)Si 薄膜 射频磁控溅射 溅射功率 溅射时间 电阻率 

摘      要：采用射频磁控溅射在蓝宝石衬底上制备了Mg_(2)Si纳米晶薄膜,研究了Mg_(2)Si烧结靶溅射功率(90~140 W)及溅射时间(10~60 min)对Mg_(2)Si薄膜的结构和电阻率的影响。结果表明:随着溅射功率增加,样品的XRD衍射峰逐渐增强;但当功率超过100 W时,样品中出现了偏析出来的单质Mg。随着溅射时间增加,样品的XRD强度先增强后减弱,溅射时间为40 min时,样品的XRD衍射峰最强;继续增加溅射时间,样品中出现微弱的MgO衍射峰。所有样品均呈现出Mg_(2)Si晶体的特征拉曼峰,即256 cm^(-1)附近的F2g模及347 cm^(-1)附近的F1u(LO)模。随着溅射功率增加,样品的电阻率减小;随着溅射时间增加,样品的电阻率先减小后增大,溅射时间为40 min时,样品的电阻率最小。