面向光学信息存储应用的深陷阱长余辉发光材料

作     者：庄逸熙 陈敦榕 解荣军 Zhuang Yixi;Chen Dunrong;Xie Rongjun

作者机构：厦门大学材料学院固体表面物理化学国家重点实验室福建省材料基因组重点实验室福建厦门361005 

出 版 物：《激光与光电子学进展》 (Laser & Optoelectronics Progress)

年 卷 期：2021年第58卷第15期

页      面：3-26页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金(51872247,51832005) 中国科协“青年人才托举工程”项目(2018QNRC001) 中央高校基本科研业务费青年人才创新团队项目(20720200075) 

主　　题：材料 长余辉发光材料 稀土掺杂发光材料 陷阱深度调控 缺陷 光学信息存储 

摘      要：长余辉发光材料因其独特的延迟发光特性,在夜间安全、生物荧光标记、光学信息存储和光学防伪等领域得到了广泛的应用与研究。长余辉发光材料的应用与其陷阱深度密切相关,其中面向光学信息存储应用的长余辉发光材料需要具备较大的陷阱深度以保证较高的室温存储效率。基于深陷阱长余辉发光材料的光学信息存储技术具有重复擦写性好、背景噪声小、存储容量大、可设计性强等优点,特别在多维光学信息存储技术发展方面具有巨大应用潜力,成为当前新型光电功能材料的研究热点之一。简要概述深陷阱长余辉发光材料在光学信息存储应用领域的研究背景,介绍基于深陷阱载流子俘获和再释放的信息存储和读取原理,梳理近年来深陷阱长余辉发光材料研究的重要突破和最新进展,最后对深陷阱长余辉发光材料未来的发展进行展望。