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PtSe_(2)薄膜的时间分辨太赫兹光谱特性研究(特邀)

Exploration of PtSe_(2) Thin Film Based on Time-resolved Terahertz Spectroscopy(Invited)

作     者:戴子杰 康黎星 龚诚 刘政 刘伟伟 DAI Zijie;KANG Lixing;GONG Cheng;LIU Zheng;LIU Weiwei

作者机构:南开大学现代光学研究所天津300350 天津市微尺度光学信息技术科学重点实验室天津300350 南洋理工大学材料科学与工程学院新加坡639798 江苏大学微纳光电子与太赫兹技术研究院江苏镇江212013 

出 版 物:《光子学报》 (Acta Photonica Sinica)

年 卷 期:2021年第50卷第8期

页      面:92-99页

核心收录:

学科分类:070207[理学-光学] 07[理学] 08[工学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 

基  金:国家自然科学基金国际(地区)合作与交流项目(No.12061131010) 国家自然科学基金面上项目(No.12074198) 

主  题:太赫兹 时间分辨 超快 二硒化铂 太赫兹调制 

摘      要:基于时间分辨太赫兹光谱技术,研究了不同厚度的二硒化铂(PtSe2)薄膜在太赫兹波段的光学特性。实验结果表明,当泵浦光功率从0增强至2540μJ/cm2时,11 nm-PtSe2薄膜的电导率逐渐增大,透射太赫兹信号强度减小;而197 nm-PtSe2薄膜的电导率逐渐减小,透射太赫兹信号强度增大。由此构造的光控太赫兹调制器件的调制速度约为14 ps,工作带宽为0.2-1.8 THz,调制深度为15%-35%。研究证明PtSe2薄膜材料在高速光控太赫兹器件领域具有应用潜力。

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