莫特绝缘体母体Ca_(2)CuO_(2)Cl_(2)中的掺杂空位对诱导的原子级电子态的直接成像

作     者：李海威 叶树森 赵建发 靳常青 王亚愚 Haiwei Li;Shusen Ye;Jianfa Zhao;Changqing Jin;Yayu Wang

作者机构：State Key Laboratory of Low Dimensional Quantum PhysicsDepartment of PhysicsTsinghua UniversityBeijing 100084China Beijing National Laboratory for Condensed Matter PhysicsInstitute of PhysicsChinese Academy of SciencesBeijing 100190China Songshan Lake Materials LaboratoryDongguan 523808China School of Physical SciencesUniversity of Chinese Academy of SciencesBeijing 100049China Frontier Science Center for Quantum InformationBeijing 100084China 

出 版 物：《Science Bulletin》 (科学通报（英文版）)

年 卷 期：2021年第66卷第14期

页      面：1395-1400,M0003页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 0702[理学-物理学] 

基　　金：the National Program on Key Basic Research Project of China(973 Program)(2017YFA0302900) the Basic Science Center Project of the National Natural Science Foundation of China(51788104) supported in part by the Beijing Advanced Innovation Center for Future Chip(ICFC)。 

主　　题：扫描隧道显微镜 电子态 铜氧化物 直接成像 费米能 原子尺度 原子级 低能电子 

摘      要：使用扫描隧道显微镜研究了铜氧化物莫特绝缘体母体Ca_(2)CuO_(2)Cl_(2)中由2个空穴型掺杂空位组成的掺杂对所诱导的原子尺度电子态.随着2个掺杂空位的接近,高能的Hubbard能带的谱权重会转移到低能的能隙内电子态,形成一个平缓的峰并且展示出一个在费米能附近的V型能隙.峰的位置会在2个掺杂空位靠近到4倍晶格常数时突然下降并在之后保持不变.能隙内电子态表现出取决于2个掺杂空位相对于底层铜晶格的构型的特殊空间分布.这些结果为在母体铜氧化物中轻度空穴掺杂的低能电子态的演化提供了重要的新线索.