外加直流场下光折变半导体InP∶Fe的双波混频增益特性

作     者：江旭海 陶传义 赵琰 肖建军 成俊桦 张婧 Jiang Xuhai;Tao Chuanyi;Zhao Yan;Xiao Jianjun;Cheng Junhua;Zhang Jing

作者机构：重庆理工大学理学院绿色能源材料技术与系统重庆市重点实验室重庆400054 

出 版 物：《光学学报》 (Acta Optica Sinica)

年 卷 期：2021年第41卷第12期

页      面：187-194页

核心收录：

学科分类：070207[理学-光学] 07[理学] 08[工学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金面上项目(51874064) 

主　　题：非线性光学 光折变材料 双波混频 空间电荷场 增益 外加电场 磷化铟 

摘      要：提出以单缺陷双边带非线性载流子输运方程描述InP∶Fe中光折变动态光栅的写入过程,通过微扰法将非线性方程线性化,从而求得小调制干涉图样下空间电荷场的稳态解,并用耦合波方程建立空间电荷场与增益系数的关系。研究温度、泵浦光强、外加直流电场和入射角对增益系数的影响。结果表明,增益系数存在温度-光强共振,最佳泵浦光强强烈依赖于晶体工作温度;施加直流电场对增益系数有明显提升作用,在10 kV·cm^(-1)范围内增益随外加直流电场增加而线性增加;并且,在温度-光强共振条件下存在最佳入射角。在室温为298 K和外加电场为5 kV·cm^(-1)时,最佳泵浦光强为218 mW·cm^(-2),最佳入射角为5°。通过InP∶Fe双波混频实验研究泵浦光强、外加直流电场和入射角对增益系数的影响,实验结果表明,增益系数变化规律与理论预测一致,验证了单缺陷双边带模型的合理性,该研究为Ⅲ-Ⅴ族半导体光折变晶体的双波混频研究提供重要的参考价值。