Si基沉积ZnO薄膜的光谱特性
Photoluminescence Properties of ZnO Films Deposited on Si Substrates作者机构：中国科学技术大学国家同步辐射实验室安徽合肥230029 中国科学技术大学物理系安徽合肥230026 Institut for experimental physik der university Hamburg
出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)
年 卷 期：2001年第22卷第2期
页 面：157-159页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学]
基 金：国家自然基金资助项目 ( 198740 5 7及 5 9872 0 3 7)
摘 要：利用同步辐射真空紫外光研究了Si基沉积ZnO薄膜的发射光谱、激发光谱及其温度依赖。首次观测到高于ZnO禁带宽度的发射带 ( 2 90nm) ,并初步指定其来源。
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