一种全MOS低温漂电压基准源的研究
A Full MOS Low Temperature Coefficient Voltage Reference Source作者机构：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054
出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)
年 卷 期：2013年第43卷第2期
页 面：210-212,217页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
基 金：中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(ZYGX2010J040)
主 题：Tracking-VGS 温度补偿 NMOS栅源电压 电压基准源
摘 要：通过利用改进型低压Tracking-VGS结构的栅源电压差ΔVGS,对NMOS晶体管的阈值电压进行补偿,提出一种全MOS低温漂电压基准源结构,获得了电源抑制特性较好的低温漂基准电压。基于2.5V65nm标准CMOS工艺,对电路进行HSPICE仿真验证。结果显示:在-40℃～125℃温度范围内,基准电压为1.1V,温度系数为1.6×10-5/℃,电源抑制比为-51dB。
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