衬底温度对电子束沉积ZnSe薄膜性能影响研究
Influence of Substrate Temperature on Properties of ZnSe Thin Films Deposited by Electron-beam Evaporation作者机构:长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室长春130022
出 版 物:《光子学报》 (Acta Photonica Sinica)
年 卷 期:2021年第50卷第6期
页 面:209-216页
核心收录:
学科分类:08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)]
基 金:吉林省科技发展计划(Nos.20190302052GX,20180519018JH) 吉林省教育厅“十三五”科技项目(No.JJKH20190543KJ)
主 题:ZnSe薄膜 衬底温度 电子束蒸发 微观结构 光学特性
摘 要:为了研究衬底温度对硒化锌薄膜微观结构和光学特性的影响,采用电子束蒸发技术在K9玻璃基底上制备了单层的硒化锌薄膜。通过研究薄膜的X射线衍射谱、透射光谱特性、表面形貌及粗糙度,分析了不同衬底温度下薄膜微观晶体结构和光学特性的变化规律。实验结果表明:在20~200℃的衬底温度范围内制备的ZnSe薄膜均为具有(111)晶面择优取向的纳米晶薄膜,随着衬底温度升高,基片上原子获得的动能增加,导致薄膜的晶粒尺寸变大、内应力和位错密度降低;同样在不同衬底温度下,薄膜的光学特性也不尽相同,随着衬底温度的升高,折射率和消光系数减小、光学带隙增加、薄膜的表面粗糙度降低。分析表明折射率下降是薄膜中空隙部分所占比例增加所致,而消光系数的下降是薄膜结晶度提高,内部缺陷减少造成的。