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磁控式并联电抗器内部故障仿真分析

Internal Fault Simulation Analysis of Magnetically Controlled Shunt Reactor

作     者:郑涛 于凯 刘校销 ZHENG Tao;YU Kai;LIU Xiaoxiao

作者机构:华北电力大学电气与电子工程学院北京102200 

出 版 物:《高压电器》 (High Voltage Apparatus)

年 卷 期:2021年第57卷第6期

页      面:152-161页

核心收录:

学科分类:080801[工学-电机与电器] 0808[工学-电气工程] 08[工学] 

基  金:国家自然基金资助项目(超/特高压磁控式并联电抗器保护新原理及其关键问题研究) 

主  题:磁控式并联电抗器 仿真模型构建 铁心结构 匝间故障 接地故障 

摘      要:磁控式并联电抗器(MCSR)作为电网中十分重要的无功补偿设备,具有平滑调节容量,消除操作过电压和潜供电流的作用。文中利用Ansoft Maxwell软件搭建了二维有限元模型,并使用外电路编辑器作为有限元激励源,通过仿真网侧绕组接地故障、网侧绕组匝间故障、控制绕组接地故障、控制绕组匝间故障,分析了在这4种不同故障情况下磁控式并联电抗器的工作特性。

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