宽中频CMOS下变频器单片

作     者：杨格亮 李斌 YANG Geliang;LI Bin

作者机构：中国电子科技集团公司第五十四研究所石家庄050081 

出 版 物：《电子与信息学报》 (Journal of Electronics & Information Technology)

年 卷 期：2021年第43卷第6期

页      面：1603-1608页

核心收录：

学科分类：080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：河北省省级科技计划(18960202D) 

主　　题：CMOS集成电路 毫米波 变频器 宽中频 

摘      要：该文介绍了一种工作于毫米波频段的宽中频(IF)下变频器。该下变频器基于无源双平衡的设计架构,片上集成了射频(RF)和本振(LO)巴伦。为了优化无源下变频器的增益、带宽和隔离度性能,电路设计中引入了栅极感性化技术。测试结果表明,该下变频器的中频带宽覆盖0.5~12 GHz。在频率为30 GHz、幅度为4 dBm的LO信号驱动下,电路的变频增益为–8.5~–5.5 dB。当固定IF为0.5 GHz、LO幅度为4 dBm时,变频增益随25~45 GHz的RF信号在–7.9~–5.9 dB范围内变化,波动幅度为2 dB。LO-IF,LO-RF,RF-IF的隔离度测试结果分别优于42,50,43 dB。该下变频器芯片采用TSMC 90 nm CMOS工艺设计,芯片面积为0.4 mm^(2)。