一种低功耗K频段低噪声放大器

作     者：赵晓冬 ZHAO Xiaodong

作者机构：中国西南电子技术研究所成都610036 

出 版 物：《电讯技术》 (Telecommunication Engineering)

年 卷 期：2021年第61卷第5期

页      面：634-639页

学科分类：080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

主　　题：卫星通信 K频段低噪声放大器 低功耗 高品质因数硅通孔电感 

摘      要：基于0.13μm锗硅(SiGe)双极型互补金属氧化物(Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor,BiCMOS)工艺,设计制作了一种高增益低功耗K频段低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA),通过优化晶体管尺寸及利用硅通孔设计高品质因数射极退化电感,降低了LNA噪声。实测结果表明,在1.6 V偏置条件下,该LNA在20 GHz的噪声系数等于1.94 dB,输入1 dB压缩点等于-29.6 dBm;18~21.3 GHz频率范围内,LNA增益大于23.3 dB,S 11和S 22均小于-10 dB。包含偏置电路功耗在内,芯片功耗仅21 mW,优于其他同等噪声系数的K频段SiGe BiCMOS LNA。该LNA可应用于卫星通信等K频段低功耗接收机系统。