基于顶发射有机发光二极管的二阶微腔长度性能研究
Second-order Microcavity Length Based on Top-emitting Organic Light-emitting Diodes作者机构:重庆邮电大学光电工程学院重庆400065 重庆市南岸区教师进修学院重庆400060
出 版 物:《光子学报》 (Acta Photonica Sinica)
年 卷 期:2021年第50卷第4期
页 面:120-127页
核心收录:
基 金:国家自然科学基金(No.61804020) 重庆市基础研究与前沿探索项目(Nos.cstc2018jcyjAX0462,cstc2018jcyjAX0547,cstc2018jcyjAX0560) 重庆市教委科学技术研究项目(Nos.KJQN201900643,KJQN201900630)
主 题:顶发射有机发光二极管 微腔效应 光耦合层 光电效率 角度稳定性
摘 要:在玻璃衬底生长金属铝作为不透明阳极,制备了结构为Al(100 nm)/TAPC(x nm)/TCTA(10 nm)/TCTA:Ir(ppy)3(10%,25 nm)/TPBi(30 nm)/LiF(2 nm)/Al(1 nm)/Ag(20 nm)/Alq3(y nm)作为顶发射的有机发光器件,其中x为30、130、160、170和180,y为20、40、60和80,研究了器件的二阶腔长及出光耦合性能。实验表明,通过改变空穴传输层的厚度,使器件微腔长度处于第二阶微腔效应增强区,可以提高器件的光电性能。同时当光输出耦合层厚度发生改变时,半透明阴极的光线穿透率与反射率发生改变,从而有效改善器件的光电性能。当微腔长度为230 nm、光输出耦合厚度为80 nm时,器件具有最佳的光电性能,并且光谱的角度稳定性强。器件最大亮度、电流效率和功率效率分别达到25 960 cd/m2、19.1 cd/A和16.01 lm/W。