3 - 14 XPS Study of Radiation Damage Created by Various Slow Highly Charged Heavy Ions on GaN Epitaxial Layers
3 - 14 XPS Study of Radiation Damage Created by Various Slow Highly Charged Heavy Ions on GaN Epitaxial Layers出 版 物:《IMP & HIRFL Annual Report》 (中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报(英文版))
年 卷 期:2010年第1期
页 面:105-106页
学科分类:1205[管理学-图书情报与档案管理] 12[管理学] 120501[管理学-图书馆学] 120502[管理学-情报学]