一种用于高压PMOSFET驱动器的电压跟随电路

作     者：师翔 崔玉旺 赵永瑞 谭小燕 张浩 贾东东 Shi Xiang;Cui Yuwang;Zhao Yongrui;Tan Xiaoyan;Zhang Hao;Jia Dongdong

作者机构：河北新华北集成电路有限公司石家庄050200 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 河北省移动通信用射频集成电路重点实验室石家庄050200 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2021年第46卷第3期

页      面：198-202,222页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

主　　题：PMOSFET驱动器 栅源电压 电压跟随电路 多环路负反馈 低温度漂移 

摘      要：通常PMOSFET栅源电压为-20~20 V,而用于GaN功率放大器的高压PMOSFET驱动器,其工作电压为28~50 V,因此需要一种新型电路结构来保证PMOSFET栅源电压工作在额定范围。设计了一种新型电压跟随电路,采用新型多环路负反馈结构,核心电路主要为电压基准单元、减法器单元、误差放大器单元和采样单元,可产生稳定的跟随电压。该电路具有宽电源电压范围、高输出稳定性以及低温度漂移等特性。基于0.5μm BCD工艺对电路进行流片,测试结果表明,采用该电路的驱动器芯片,其电源电压为15~50 V,输出电压变化量约为0.6 V,在-55~125℃温度范围内,电压漂移量约为0.12 V,满足大多数PMOSFET栅源电压的应用要求。