基于InP DHBT的宽带高带宽利用率的ECL静态分频器

作     者：甄文祥 苏永波 丁芃 丁武昌 杨枫 金智 ZHENWen-xiang;SU Yong-bo;DING Peng;DINGWu-chang;YANG Feng;JIN Zhi

作者机构：中科院微电子所高频高压中心北京100029 中国科学院大学电子通信学院北京100049 

出 版 物：《微波学报》 (Journal of Microwaves)

年 卷 期：2020年第36卷第S1期

页      面：152-155页

学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 080902[工学-电路与系统] 08[工学] 

主　　题：静态分频器 ECL 双发射极 InP DHBT 带宽利用率 

摘      要：本文提出了一种由0.8μm的InPDHBT工艺制作的宽带2:1静态ECL分频器电路,提出的分频器电路依据双发射极ECL电路结构进行搭建。经过对电路参数的理论分析和相关计算,该电路中关键开关器件的最大截止频率(ft)的利用率提高到了0.967。该电路的测试结果表明,在输入正弦波的射频信号下,电路输入频率的操作频率范围是1GHz到62GHz。该电路搭建利用器件的最大截止频率ft为150GHz,因此电路的带宽利用率BW/ft为0.413,这在相同尺寸器件所制作的分频器电路中,是一个相当良好的结果。