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平面阴极磁控溅射的设计及性能

作     者:A.G.Spencer 王宝霞 喻子建 

出 版 物:《电子工艺技术》 (Electronics Process Technology)

年 卷 期:1989年第10卷第1期

页      面:55-57,63页

学科分类:080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 

主  题:平面磁控管 永久磁体 电磁体 溅射 

摘      要:本文分别介绍了周永久磁体和电磁体所做的关于磁场强度及其分布对平面磁控管工作特性影响的研究情况。采用的电磁铁可在环状磁力线路径的中心之处产生0~30mT的变化磁场,在磁场增至25mT(250高斯)时,磁控管工作特性曲线有明显改善;如果超过25m T,则工作特性曲线变化不大。用永久磁体系统研究了由磁极产生的磁场形状及其对工作参数(特别是靶的利用率和膜的纯度)的影响。研究表明,平行于靶表面的磁场,可以在低压强下将溅射出来的材料的高能量传输到基片上,从而对靶有效瞄准、均匀刻蚀。文中还介绍了用市场上买到的不同磁体来设计永久磁体的方法。

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