Critical Range of Heavy-ions in 3D Stacked SRAM Memory

作     者：Zhao Peixiong Liu Tianqi He Ze Yan Xiaoyu Liu Jie Sun Youmei 

作者机构：Institute of Modern PhysicsChinese Academy of SciencesLanzhou 730000China School of Nuclear Science and TechnologyUniversity of Chinese Academy of SciencesBeijing 100049China 

出 版 物：《IMP & HIRFL Annual Report》 (中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报（英文版）)

年 卷 期：2019年第1期

页      面：113-114页

学科分类：08[工学] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）] 

主　　题：integration immunity performance 

摘      要：3D IC integration allows multiple two-dimensional circuits to be stacked vertically as single die,improved integration density,noise immunity,and superior performance resulting in high reliability performance[1-3].