光栅局域调控二维光电探测器
Photogating effect in two-dimensional photodetectors作者机构:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所多功能材料与轻巧系统重点实验室苏州215123 中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院合肥230026
出 版 物:《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期:2021年第70卷第2期
页 面:257-267页
核心收录:
学科分类:07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学]
基 金:国家重点研发计划(批准号:2019YFB2005600) 国家自然科学基金(批准号:51732010)资助的课题
摘 要:近年来,二维材料独特的物理、化学和电子特性受到了越来越多的科研人员的关注.特别是石墨烯、黑磷和过渡金属硫化物等二维材料具有优良的光电性能和输运性质,使其在下一代光电子器件领域具有广阔的应用前景.本文将主要介绍二维材料在光电探测领域上的应用优势,概述光电探测器的基本原理和参数指标,重点探讨光栅效应与传统光电导效应的区别,以及提高光增益和光响应度的原因和特性,进而回顾光栅局域调控在光电探测器中的最新进展及应用,最后总结该类光电探测器面临的问题及对未来方向的展望.