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无平面结敏感区硅光二极管

THE PHOTODIODE OF SILICON WITHOUT SENSITIVE AREA IN THE PLANLAR PN JUNCTION

作     者：尹长松 李晓军 谷增云 王林 Yin Changsong, Li Xiaojun, Gu Zengyun, Wang Lin (Department of Physics, Wuhan University, Wuhan 430072,China)

作者机构：武汉大学物理学系 

出 版 物：《武汉大学学报（自然科学版）》 (Journal of Wuhan University(Natural Science Edition))

年 卷 期：1997年第43卷第5期

页      面：647-649页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0803[工学-光学工程] 

主　　题：光敏二极管 面积PN结 平面结敏感区 硅光二极管 

摘      要：研制了在平面ＰＮ结内无敏感区的硅光探测器，测量了这种新结构器件的光电转换特性，说明在光照下，器件的光电流不为零值．

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