2-6GHz超宽带GaN MMIC设计

作     者：唐博文 余刚 林支慷 徐跃杭 TANG Bo-wen;YU Gang;LIN Zhi-kang;XU Yue-hang

作者机构：电子科技大学电子科学与工程学院成都611731 

出 版 物：《微波学报》 (Journal of Microwaves)

年 卷 期：2020年第36卷第S1期

页      面：172-174页

学科分类：080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

主　　题：超宽带 GaN MMIC 高功率 输入回波损耗改善 

摘      要：针对宽带功率放大器设计中晶体管增益滚降特性带来平坦度较差的问题,本文通过在级间匹配网络中采用正斜率设计以抵消晶体管增益滚降影响的方法,设计了一款2-6GHz超宽带高功率氮化镓放大器芯片,实测结果表明该功率放大器在2.3-6.4GHz频带范围内,输出功率43dBm,功率附加效率29.3%,带内增益平坦度小于±1.5dB。针对该芯片面积较大、输入回波损耗差的缺点,通过在输入级与第一级级间匹配网络中使用电容电感等集总元件,使芯片面积缩小~9%,并通过在输入级采用有耗元件,将输入回波损耗改善了5dB以上。