酞菁铜与MoS_2(0001)范德瓦耳斯异质结研究

作     者：曹宁通 张雷 吕路 谢海鹏 黄寒 牛冬梅 高永立 Cao Ning-Tong;Zhang Lei;Lü Lu;Xie Hai-Peng;Huang Han;Niu Dong-Mei;Gao Yong-Li

作者机构：中南大学先进材料超微结构与超快过程研究所长沙410083 Department of Physics and AstronomyUniversity of Rochester 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2014年第63卷第16期

页      面：412-419页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 07[理学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0704[理学-天文学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:51173205) 中央高等学校基本科研基金(批准号:2013zzts155) 中南大学贵重仪器设备开放共享基金(批准号:CSUZC2014023)资助的课题~~ 

主　　题：有机半导体 光电子能谱 电子结构 异质结 

摘      要：利用光电子能谱、原子力显微镜以及低能电子衍射等表面研究手段系统研究了真空沉积生长的酞菁铜薄膜与衬底MoS2(0001)之间的范德瓦耳斯异质结界面电子结构和几何结构.角分辨光电子能谱清楚地再现了MoS2(0001)衬底在Γ点附近的能带结构.低能电子衍射结果表明,CuPc薄膜在MoS2(0001)表面沿着衬底表面[11ˉ20],[1ˉ210]和[ˉ2110]三个晶向有序生长,反映了衬底对CuPc的影响.原子力显微镜结果表明,CuPc在MoS2衬底上遵循层状-岛状生长模式:在低生长厚度下(单层薄膜厚度约为0.3 nm),CuPc分子平面平行于MoS2表面上形成均匀连续的薄膜;在较高的沉积厚度下,CuPc沿衬底晶向形成棒状晶粒,表现出明显的各向异性.光电子能谱显示界面偶极层为0.07 eV,而且能谱在膜厚1.2 nm饱和,揭示了酞菁铜与MoS2(0001)范德瓦耳斯异质结的能级结构.