折射率对金属-电介质-金属光子晶体强透射特性的影响

作     者：杨宏艳 肖功利 

作者机构：桂林电子科技大学计算机科学与工程学院广西桂林541004 桂林电子科技大学信息与通信学院广西桂林541004 

出 版 物：《光学学报》 (Acta Optica Sinica)

年 卷 期：2012年第32卷第7期

页      面：193-197页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：国家自然科学基金(61163041) 桂林电子科技大学博士科研启动基金(UF10005Y)资助课题 

主　　题：表面光学 折射率 强透射特性 时域有限差分法 金属-电介质-金属光子晶体 

摘      要：通过改变一个薄电介质层的折射率来研究其对金属-电介质-金属光子晶体(M-D-MPhC)强透射特性的影响。采用与CMOS工艺兼容技术制作了由折射率分别为[nd(SU-8)=1.6,nd(SiO2.1N0.3)=1.6和nd(SiO0.6N1)=1.8]组成的三个正方形晶格圆孔阵列M-D-MPhC结构,利用傅里叶变换红外光谱仪测量其透射光谱。实验结果发现,金-SiO2.1N0.3-金结构能够获得较强的光透射增强效果和较窄的透射峰,证明了M-D-MPhC强透射特性既与中间电介质折射率大小有关,又与其材料制作工艺差异有关。采用时域有限差分(FDTD)法模拟了在相同条件下折射率分别为1.6和1.8组成的M-D-MPhC透射光谱和电场强度密度分布,模拟结果较好地符合了实验发现。