S波段低温低噪声放大器技术研究
Study on cryogenic and low noise amplifier at S-band作者机构：中国电子科技集团公司第十六研究所合肥230043
出 版 物：《低温与超导》 (Cryogenics and Superconductivity)
年 卷 期：2011年第39卷第10期
页 面：78-80页
核心收录：
学科分类：080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
主 题：低温 低噪声放大器(LNA) 高迁移率晶体管(HEMT)
摘 要：介绍了低温低噪声放大器使用的HEMT(高迁移率晶体管)器件噪声模型的建立,对HEMT用S参数和噪声参数进行仿真,获取适合的模型。给出了实例,放大器在低温10K工作,增益≥30dB,噪声温度≤4K。
维普期刊数据库
同方期刊数据库