Si(001)表面层及近表面层原子行为的分子动力学模拟研究
MOLECULAR DYNAMICS SIMULATION FOR Si(00l) SURFACE作者机构：中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室上海200050
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：1994年第43卷第4期
页 面：609-615页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 07[理学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
摘 要：用分子动力学方法模拟了si(001)表面。提出利用二维偶对相关函数分析方法研究表面层和近表面层原于的行为。硅原子间的相互作用势采用含有两体和三体相互作用的Stilli-anger-Weber势。模拟温度为300K,模拟结果和二维偶对相关函数的分析表明:表面层的大部分原子发生成键,键长为0.24nm;近表面层的其它几层原子仍保持原平面晶格构型。另外,对表面层和近表面层原子的弛豫问题也进行了模拟研究。
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