SOI温度补偿效应的全集成高线性度Gm-C滤波器设计

作     者：孙书龙 林敏 SUN Shulong;LIN Min

作者机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2015年第4期

页      面：779-784页

学科分类：080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

主　　题：Gm-C滤波器 阈值漂移 衬底偏置 温度补偿 

摘      要：为了补偿温度变化对滤波器频率响应造成的漂移,提出了一种全差分运算放大器,该运算放大器采用电压负反馈方式稳定输出共模电平,调节输入对差分管衬底偏置来改变阈值电压差,从而调节放大器的跨导来调整滤波器的截止频率,实现了基于Gm-C结构的三阶Chebyshev低通滤波器,滤波器采用GSMC的0.13μm SOI工艺,电源电压1.2 V,6层金属设计,仿真结果表明,该滤波器通带增益0 d B,-1 d B截止频率8 MHz,38 MHz处增益衰减达到-35 d B,带内波动0.5 d B,输入为1 MHz,400 m V Vpp时,THD为-57 d B,功耗7 m W.在特殊环境具有明显的优势。