用于微测辐射热计的氧化钒薄膜制备

作     者：王利霞 李建平 何秀丽 高晓光 Wang Lixia;Li Jianping;He Xiuli;Gao Xiaoguang

作者机构：中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室北京100080 中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室北京100080 中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室北京100080 中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室北京100080 

出 版 物：《真空科学与技术学报》 (Chinese Journal of Vacuum Science and Technology)

年 卷 期：2005年第25卷第Z1期

页      面：51-53,56页

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

主　　题：氧化钒 射频溅射法 电阻温度系数 

摘      要：采用射频(RF)反应溅射法,在微结构衬底上制备氧化钒薄膜,研究了氧气压、衬底温度、退火条件及薄膜厚度对薄膜电阻及电阻温度系数(TCR)的影响.在氮气保护下,采用常规退火和快速升降温退火对薄膜进行热处理.结果表明:氧分压、退火条件和薄膜厚度对电阻温度系数影响较大,需综合考虑;衬底温度对薄膜电阻的影响较大,但对电阻温度系数的影响较小;与常规退火方法相比,采用快速升降温退火有利于薄膜电阻温度系数的提高;通过优化工艺参数,制得的薄膜电阻温度系数可达(-4%/℃)左右,满足微测辐射热计的要求.